Это мне нравится.
Компания Samsung разработала первую в мире микросхему
оперативной памяти DDR3 емкостью четыре гигабита.
Она выполнена с соблюдением 50-нанометровой технологии
и позволит увеличить объем модуля оперативной памяти до 32 гигабайт.
Для работы четырехгигабитного чипа памяти DDR3 необходимо
напряжение в 1,35 вольта. Это на 20 процентов меньше, чем требуется
для работы выпускаемых в настоящее время чипов памяти DDR3.
Энергопотребление 16-гигабайтного модуля DDR3 на базе четырехгигабитных
микросхем на 40 процентов меньше энергопотребления аналогичного модуля,
созданного на основе двухгигабитных чипов.

Состояние: ura